irf540参数（irf540参数介绍）
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请教IRF540代换
IRF540和H20R1203都是N沟道MOSFET晶体管，它们的主要区别在于最大承受电压、最大电流和开关速度等方面。IRF540的最大承受电压为100V，最大电流为33A，静态电阻较大，开关速度较慢，主要适用于低频开关电路。
IRF540是N-MOS管，100V，27A，125W。可用IRF140，BUK436-100B，2SK906，IXTS30N10代换。
IRF540是场效管不可用L7805（三端稳压块）代换， IRF540是一个大电流（30A）、较高耐压（100V）、低导通电阻（0.077Ω）的N沟道场效应管。
如果是小功率的N沟道增强型场效应管，可以用NPN型三极管来勉强替代。
IRF540场效应管的控制极加多少伏电压
如果是开关电路，在开时G极所加的控制电压要在15V以上。但不要大于19V。
IRF540N的导通起控电压为2-4V，GS极之间最高电压不能超过20V，质量较好的管子GS加6-8V就已经饱和导通（内阻最小），所以使用时如果有脉动或尖峰电压时，最好在GS两极之间接入一12-15V的快速稳压管。
V。根据查询场效应管工作原理得知，场效应管控制极电压是9V。场效应（晶体）管，是一种利用场效应原理工作的半导体器件，场效应管具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大、功率小、易于集成等特点。
IRF840NPBF的Id电流小8A，承受的冲击电流小30A，Vds电压在500V（这个相对较高），测试时的功率125W，控制电压±20V（导通电压2V到4V），开关频率相对低点。
可在IRF540的栅极与地并接一个几K左右电阻。IRF540没有损坏，焊接良好。从你表述来看，栅极可能悬空了或者你身体感应电压比较大。你用手摸栅极是很危险的，很可能损坏场管，因为栅极非常怕静电，可能会导致击穿。
IRF540与H20R1203有什么区别可以代换吗
没有区别，电流20A，耐压1200V，可以互换。知识点延伸：IRF540与H20R1203是电磁炉中的IGBT，IGBT管的性能不能光看它的电流与反压。还有饱和压降、频率响应都是重要指标。
H20R1203可以使用电磁炉IGBT管FGA25N120进行替换。IGBT管的性能不能光看它的电流与反压。还有饱和压降、频率响应都是重要指标。就后俩参数来讲，H20R1203优于FGA25N120。但差别不大。
H20R1353可以用H20R1203代换。H20R1203参数：1200V20A48Ⅴ；H20R1353参数：1350Ⅴ20A6Ⅴ。
IRFP260M 和 H20R1203 是两种不同型号的功率场效应管（MOSFET），它们有一些区别，并且一般情况下不能直接代换使用。
H20R1353可以用H20R1203代换，H20R1203参数：1200V20A48Ⅴ；H20R1353参数：1350Ⅴ20A6Ⅴ。
①、这 H20R1203内部是带阻尼二极管的，其功率管参数是：/耐压：1200V//电流：20A//。②、以上此管可用K25T120代换。
IRF530和IRF540能通用吗???区别是什么???
1、不能通用。区别：性质不同：IRF虚拟化技术的英文简称，是当前企业IT技术领域的关注焦点。irf540n的生产厂家是SANYO 、IR、VISHAY，封装类型为TO-220AB。
2、Irf530和irf540不是通用的。不同的是：不同的持续电流，不同的开路电阻，不同的满功率温度。
3、IRF530和IRF540不能通用，540可以替换530，530不能替换540。IRF530 NMOS GDS 功放开关 100V14A79W51/36nS0.18；IRF540 NMOS GDS 功放开关 100V28A150W110/75nS0.077。
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